casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / CEDM8004VL TR
Número de pieza del fabricante | CEDM8004VL TR |
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Número de parte futuro | FT-CEDM8004VL TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CEDM8004VL TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 450mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1 Ohm @ 430mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 0.88nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | 8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 55pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 100mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-883VL |
Paquete / Caja | SC-101, SOT-883 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CEDM8004VL TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CEDM8004VL TR-FT |
DMT6016LFDF-7
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DMP1022UFDF-7
Diodes Incorporated
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
AT6002-4AC
Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
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5SGXEB5R1F40I2N
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5SGXMA3K3F40C2N
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EP3SE260F1517C2N
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