casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / CEDM7001VL TR
Número de pieza del fabricante | CEDM7001VL TR |
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Número de parte futuro | FT-CEDM7001VL TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CEDM7001VL TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.5V, 4V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 10mA, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 0.57nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 9pF @ 3V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 100mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-883VL |
Paquete / Caja | SC-101, SOT-883 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CEDM7001VL TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CEDM7001VL TR-FT |
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DMN3016LFDF-7
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EP1C6T144C6
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LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
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A42MX09-FVQ100
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EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel