casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / CDBJSC101200-G
Número de pieza del fabricante | CDBJSC101200-G |
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Número de parte futuro | FT-CDBJSC101200-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CDBJSC101200-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.7V @ 10A |
Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 0ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacitancia a Vr, F | 780pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-2 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220-2 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDBJSC101200-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CDBJSC101200-G-FT |
AG01V
Sanken
AG01V0
Sanken
AG01WK
Sanken
AG01WS
Sanken
AK 04V
Sanken
AK 04V0
Sanken
AK 04V1
Sanken
AK 04WK
Sanken
AK 04WS
Sanken
AK 06V
Sanken
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XCV300E-7FG256I
Xilinx Inc.
EP20K300EBC672-2X
Intel
EPF10K200SFC484-2X
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
XC7K325T-1FF900C
Xilinx Inc.
APA075-TQG100
Microsemi Corporation
LFEC15E-4FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F29I3LG
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel