casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / CBR2-L080M
Número de pieza del fabricante | CBR2-L080M |
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Número de parte futuro | FT-CBR2-L080M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CBR2-L080M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 800V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 2A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 2A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP |
Paquete del dispositivo del proveedor | B-M |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CBR2-L080M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CBR2-L080M-FT |
SC3BK4F
Semtech Corporation
SC3BK6
Semtech Corporation
SCBH6
Semtech Corporation
DD104N18KHPSA1
Infineon Technologies
0546260000
Weidmüller
8022051001
Weidmüller
GBJ1004-F
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GBJ25005-F
Diodes Incorporated
GBJ2502-F
Diodes Incorporated
GBJ3510-F
Diodes Incorporated
XC3S500E-5FTG256C
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M1A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517I3
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XC2VP50-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3FN484C
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LFE2M35SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45E3LG
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EP4SGX180DF29C2X
Intel