casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBJ3510-F
Número de pieza del fabricante | GBJ3510-F |
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Número de parte futuro | FT-GBJ3510-F |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ3510-F Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3.6A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 17.5A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBJ |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ3510-F Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBJ3510-F-FT |
SC3BH4
Semtech Corporation
SC3BH4F
Semtech Corporation
SC3BH6F
Semtech Corporation
SC3BJ05F
Semtech Corporation
SC3BJ05FF
Semtech Corporation
SC3BJ10FF
Semtech Corporation
SC3BJ15FF
Semtech Corporation
SC3BJ1F
Semtech Corporation
SC3BJ2
Semtech Corporation
SC3BJ4
Semtech Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2C35U484C7
Intel
EP4CE15F23C9L
Intel
EP3C16E144I7
Intel
A1010B-PLG44I
Microsemi Corporation
XC5VLX85T-3FF1136C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-2100E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S130F1020C5N
Intel