casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / CBL2012T1R0M
Número de pieza del fabricante | CBL2012T1R0M |
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Número de parte futuro | FT-CBL2012T1R0M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CB, L Type |
CBL2012T1R0M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 1µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 950mA |
Corriente - Saturación | 620mA |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 195 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | 100MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0805 (2012 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0805 (2012 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CBL2012T1R0M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CBL2012T1R0M-FT |
CBC2012T220M
Taiyo Yuden
HK2125R33J-T
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XC4VFX100-10FF1517C
Xilinx Inc.
XC7A12T-2CSG325C
Xilinx Inc.
LAXP2-17E-5QN208E
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-1FG256K
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C7
Intel
EP4CE10F17I8LN
Intel
5SGXEA7K3F40C2
Intel
XC7V2000T-1FHG1761C
Xilinx Inc.
LFXP10C-4FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360FF35C2X
Intel