casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / C2M1000170J
Número de pieza del fabricante | C2M1000170J |
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Número de parte futuro | FT-C2M1000170J |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | C2M™ |
C2M1000170J Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1700V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5.3A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 2A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.1V @ 500µA (Typ) |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 20V |
Vgs (Max) | +25V, -10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 200pF @ 1000V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 78W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK (7-Lead) |
Paquete / Caja | TO-263-7 (Straight Leads) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
C2M1000170J Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | C2M1000170J-FT |
ZVP2120GTA
Diodes Incorporated
ZXMP7A17GQTA
Diodes Incorporated
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DMP45H21DHE-13
Diodes Incorporated
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel