casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZT52C3V6-G3-18
Número de pieza del fabricante | BZT52C3V6-G3-18 |
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Número de parte futuro | FT-BZT52C3V6-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BZT52C3V6-G3-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 3.6V |
Tolerancia | ±5% |
Potencia - max | 410mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 80 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | - |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOD-123 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-123 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52C3V6-G3-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZT52C3V6-G3-18-FT |
BZT52B8V2-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B9V1-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B9V1-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B9V1-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B9V1-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B9V1-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B9V1-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C10-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C10-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C10-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFXP2-5E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX128-PTQ100
Microsemi Corporation
XCV300E-6FG456I
Xilinx Inc.
A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
A54SX16A-FPQ208
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
Intel
5SGXMA3K2F40C2N
Intel
XC5VLX30-1FF324C
Xilinx Inc.
M2GL060-FGG676
Microsemi Corporation