casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZT52B9V1-E3-18
Número de pieza del fabricante | BZT52B9V1-E3-18 |
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Número de parte futuro | FT-BZT52B9V1-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BZT52B9V1-E3-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 9.1V |
Tolerancia | ±2% |
Potencia - max | 410mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 4.8 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100nA @ 7V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOD-123 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-123 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52B9V1-E3-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZT52B9V1-E3-18-FT |
BZT52B3V0-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V0-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V0-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V0-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V3-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V3-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V3-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V3-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V6-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V6-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGLN125V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGSMD3E3H29C4N
Intel
LFXP15C-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-8LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP4K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H2F34I2LG
Intel
EP2C70F896C7N
Intel
EP2S130F1508C5N
Intel
EP4SGX230DF29I3N
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel