casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZT52B3V0-HE3-18
Número de pieza del fabricante | BZT52B3V0-HE3-18 |
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Número de parte futuro | FT-BZT52B3V0-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BZT52B3V0-HE3-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 3V |
Tolerancia | ±2% |
Potencia - max | 410mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 80 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | - |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOD-123 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-123 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52B3V0-HE3-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZT52B3V0-HE3-18-FT |
MMSZ4684-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ4701-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ4704-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5226B-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5236B-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5242C-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5243C-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B10-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B10-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B10-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2VP20-6FG676I
Xilinx Inc.
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
EP1SGX10DF672I6
Intel
EPF10K100AFC484-1
Intel
5SGXEA7N2F40C3
Intel
5SGXEBBR2H43C2L
Intel
XC2V1000-4FFG896I
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQ160I
Microsemi Corporation
LFE2M35E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation