casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZT52B10-E3-18
Número de pieza del fabricante | BZT52B10-E3-18 |
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Número de parte futuro | FT-BZT52B10-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BZT52B10-E3-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 10V |
Tolerancia | ±2% |
Potencia - max | 410mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 5.2 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100nA @ 7.5V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOD-123 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-123 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52B10-E3-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZT52B10-E3-18-FT |
BZT52C4V7-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C51-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C5V6-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C6V8-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C6V8-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C7V5-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C9V1-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ4681-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ4682-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ4683-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400A-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P1000-1FG256M
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F35C1N
Intel
XC7VX485T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-2FF1156I
Xilinx Inc.
XC7S25-L1CSGA324I
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation