casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27C8V2P-HE3-18
Número de pieza del fabricante | BZD27C8V2P-HE3-18 |
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Número de parte futuro | FT-BZD27C8V2P-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C8V2P-HE3-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 8.2V |
Tolerancia | - |
Potencia - max | 800mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 2 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 3V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-219AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-219AB (SMF) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C8V2P-HE3-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZD27C8V2P-HE3-18-FT |
BZD27C33P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C33P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C33P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C36P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C36P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C36P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C36P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C36P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C39P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C39P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4VFX140-11FF1517C
Xilinx Inc.
AFS1500-FGG484I
Microsemi Corporation
M2GL050-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLE600V2-FG256
Microsemi Corporation
EP1K10TC100-3
Intel
EPF10K100AFC484-3
Intel
10AX032H2F34I2LG
Intel
5SGXEA5K3F35I4N
Intel
LCMXO3LF-4300E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB3G4F35C5N
Intel