casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27C33P-HE3-18
Número de pieza del fabricante | BZD27C33P-HE3-18 |
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Número de parte futuro | FT-BZD27C33P-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C33P-HE3-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 33V |
Tolerancia | - |
Potencia - max | 800mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 15 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 24V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-219AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-219AB (SMF) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C33P-HE3-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZD27C33P-HE3-18-FT |
BZD27B9V1P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B9V1P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B9V1P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B9V1P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B9V1P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C100P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C100P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C100P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C100P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C100P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7A100T-1FGG484C
Xilinx Inc.
5SGXEB6R3F40C4N
Intel
5SGSMD6N2F45I2LN
Intel
XC7VX690T-1FFG1761I
Xilinx Inc.
AGL250V5-FGG144
Microsemi Corporation
LFEC10E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-3FTN324C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4B256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780I6N
Intel