casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27C82P-M3-08
Número de pieza del fabricante | BZD27C82P-M3-08 |
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Número de parte futuro | FT-BZD27C82P-M3-08 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27C-M |
BZD27C82P-M3-08 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 82V |
Tolerancia | - |
Potencia - max | 800mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 100 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 62V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-219AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-219AB (SMF) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C82P-M3-08 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZD27C82P-M3-08-FT |
BZD27C30P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C30P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C33P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C33P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C33P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C33P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C36P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C36P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C36P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C36P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S400AN-4FT256C
Xilinx Inc.
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP3SE50F484C4N
Intel
M1AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K2F35I2SG
Intel
5AGXMB7G6F35C6N
Intel