casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27C12P-M3-18
Número de pieza del fabricante | BZD27C12P-M3-18 |
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Número de parte futuro | FT-BZD27C12P-M3-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27C-M |
BZD27C12P-M3-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 12V |
Tolerancia | - |
Potencia - max | 800mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 7 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 3µA @ 9.1V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-219AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-219AB (SMF) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C12P-M3-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZD27C12P-M3-18-FT |
BZD27B56P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B56P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B56P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B56P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B5V1P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B5V1P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B5V1P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B5V1P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B5V1P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B5V6P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV200E-7FG456I
Xilinx Inc.
AX250-FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1X
Intel
EP4CE40F23A7N
Intel
10M16DCF256C8G
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMA3K2F35C1N
Intel
A54SX16A-1TQG100M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGZME1H2F35C3N
Intel