casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27B56P-M3-18
Número de pieza del fabricante | BZD27B56P-M3-18 |
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Número de parte futuro | FT-BZD27B56P-M3-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27B-M |
BZD27B56P-M3-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 56V |
Tolerancia | - |
Potencia - max | 800mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 60 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 43V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-219AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-219AB (SMF) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B56P-M3-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZD27B56P-M3-18-FT |
BZD27B180P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B18P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B18P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B18P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B18P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B18P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B200P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B200P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B200P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B200P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400A-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P1000-1FG256M
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F35C1N
Intel
XC7VX485T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-2FF1156I
Xilinx Inc.
XC7S25-L1CSGA324I
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation