casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27B6V8P-HE3-18
Número de pieza del fabricante | BZD27B6V8P-HE3-18 |
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Número de parte futuro | FT-BZD27B6V8P-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27B |
BZD27B6V8P-HE3-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 6.8V |
Tolerancia | - |
Potencia - max | 800mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 3 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 3V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-219AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-219AB (SMF) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B6V8P-HE3-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZD27B6V8P-HE3-18-FT |
BZD27B27P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B30P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B30P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B30P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B30P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B30P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B30P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B33P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B33P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B33P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150T-3FG676C
Xilinx Inc.
XCS05XL-4VQ100I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG256
Microsemi Corporation
LFE5U-85F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX08-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE3-95E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9E6F31I7N
Intel
10AX115N1F45I1SG
Intel
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP1C4F324C8
Intel