casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27B27P-M3-08
Número de pieza del fabricante | BZD27B27P-M3-08 |
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Número de parte futuro | FT-BZD27B27P-M3-08 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27B-M |
BZD27B27P-M3-08 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 27V |
Tolerancia | - |
Potencia - max | 800mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 15 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 20V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-219AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-219AB (SMF) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B27P-M3-08 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZD27B27P-M3-08-FT |
BZD27B100P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B10P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B10P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B10P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B10P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B10P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B110P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B110P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B110P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B110P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP1K30TI144-2
Intel
XC4062XL-3HQ304I
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256M
Microsemi Corporation
EP2S30F484C3N
Intel
5SGXEA7N1F40I2N
Intel
5SGXMABN3F45C3N
Intel
XC7VX485T-2FFG1930I
Xilinx Inc.
XC6VLX365T-L1FF1156I
Xilinx Inc.
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
5AGXMB5G4F35C5N
Intel