casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27B22P-HE3-08
Número de pieza del fabricante | BZD27B22P-HE3-08 |
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Número de parte futuro | FT-BZD27B22P-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27B |
BZD27B22P-HE3-08 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 22V |
Tolerancia | - |
Potencia - max | 800mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 15 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 16V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-219AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-219AB (SMF) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B22P-HE3-08 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZD27B22P-HE3-08-FT |
BZD17C82P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C8V2P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C8V2P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C91P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C91P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C9V1P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C9V1P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B100P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B100P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B100P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFXP6E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75-L1FGG676I
Xilinx Inc.
XC3S50-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2S150-6FG456C
Xilinx Inc.
10AX016C4U19E3LG
Intel
EP4CE55F23C7
Intel
5SGXEA4H3F35I4N
Intel
XC7VX980T-1FFG1926C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
EPF10K50RC240-3
Intel