casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD17C8V2P-E3-18
Número de pieza del fabricante | BZD17C8V2P-E3-18 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BZD17C8V2P-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BZD17C8V2P-E3-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 8.2V |
Tolerancia | - |
Potencia - max | 800mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 3V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-219AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-219AB (SMF) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD17C8V2P-E3-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZD17C8V2P-E3-18-FT |
BZD27B18P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B22P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B24P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B5V1P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C10P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C12P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C150P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C160P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C20P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C22P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA6SLX25-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-6FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125DF25C5
Intel
5SGXEABN3F45C2N
Intel
XC7VX485T-1FFG1157C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S2F45E1SG
Intel
5AGXFA5H6F35C6N
Intel
EP4SGX180HF35C2
Intel