casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / BYV29F-400HE3/45
Número de pieza del fabricante | BYV29F-400HE3/45 |
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Número de parte futuro | FT-BYV29F-400HE3/45 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYV29F-400HE3/45 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 400V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 8A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.25V @ 8A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 50ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab |
Paquete del dispositivo del proveedor | ITO-220AC |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV29F-400HE3/45 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BYV29F-400HE3/45-FT |
PMEG40T20ERX
Nexperia USA Inc.
PMEG40T30ERX
Nexperia USA Inc.
PMEG4030ER/8X
Nexperia USA Inc.
BAS216,115
NXP USA Inc.
BAS216,135
NXP USA Inc.
BAT254,115
NXP USA Inc.
BAS316/ZLF
NXP USA Inc.
BAS316/ZLX
NXP USA Inc.
BAS321/ZLF
NXP USA Inc.
BAS321/ZLX
NXP USA Inc.
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel