casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / BYG23M M2G
Número de pieza del fabricante | BYG23M M2G |
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Número de parte futuro | FT-BYG23M M2G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYG23M M2G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | - |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1.5A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.7V @ 1.5A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 65ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 1000V |
Capacitancia a Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AC, SMA |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG23M M2G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BYG23M M2G-FT |
S2MA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS12 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1J R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1D R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1G R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2AA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSSA3U60 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
BYG20G R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1D R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1G R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel