casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / BYG22DHE3_A/H
Número de pieza del fabricante | BYG22DHE3_A/H |
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Número de parte futuro | FT-BYG22DHE3_A/H |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BYG22DHE3_A/H Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Avalanche |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 2A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 2A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 25ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 200V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AC, SMA |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG22DHE3_A/H Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BYG22DHE3_A/H-FT |
SA2D-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS16-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H10-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1B-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1M-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10Y-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21K-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1D-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1K-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1J-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
10M50DCF484C8G
Intel
5SGSMD5K2F40C3
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
LFXP2-40E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-6MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1500EBC652-1X
Intel