casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / BYG10Y-M3/TR
Número de pieza del fabricante | BYG10Y-M3/TR |
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Número de parte futuro | FT-BYG10Y-M3/TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BYG10Y-M3/TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Avalanche |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1.5A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.15V @ 1.5A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 4µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 1600V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AC, SMA |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG10Y-M3/TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BYG10Y-M3/TR-FT |
SE20AFBHM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20AFD-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20AFD-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20AFDHM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20AFDHM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20AFG-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20AFG-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20AFGHM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20AFGHM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20AFJ-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel