casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / BYG10YHE3_A/I
Número de pieza del fabricante | BYG10YHE3_A/I |
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Número de parte futuro | FT-BYG10YHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BYG10YHE3_A/I Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Avalanche |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1.5A (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.15V @ 1.5A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 4µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 1600V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AC, SMA |
Paquete del dispositivo del proveedor | SMA (DO-214AC) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG10YHE3_A/I Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BYG10YHE3_A/I-FT |
SE20AFGHM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20AFGHM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20AFJ-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20AFJHM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20AFJHM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30AFB-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30AFBHM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30AFBHM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30AFD-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30AFDHM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel