casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BUK9Y58-75B,115
Número de pieza del fabricante | BUK9Y58-75B,115 |
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Número de parte futuro | FT-BUK9Y58-75B,115 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK9Y58-75B,115 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 75V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 20.73A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 53 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 10.7nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±15V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1137pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 60.4W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | LFPAK56, Power-SO8 |
Paquete / Caja | SC-100, SOT-669 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK9Y58-75B,115 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BUK9Y58-75B,115-FT |
PSMN9R5-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
BUK7Y59-60EX
Nexperia USA Inc.
BUK7Y9R9-80EX
Nexperia USA Inc.
PSMN2R0-25YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN5R8-40YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN8R3-40YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN9R1-30YL,115
Nexperia USA Inc.
BUK7Y08-40B,115
Nexperia USA Inc.
BUK7Y153-100EX
Nexperia USA Inc.
BUK7Y19-100EX
Nexperia USA Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel