casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BUK9Y107-80EX
Número de pieza del fabricante | BUK9Y107-80EX |
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Número de parte futuro | FT-BUK9Y107-80EX |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
BUK9Y107-80EX Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 80V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 11.8A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 98 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 706pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 37W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | LFPAK56, Power-SO8 |
Paquete / Caja | SC-100, SOT-669 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK9Y107-80EX Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BUK9Y107-80EX-FT |
BUK7Y18-75B,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y104-100B,115
Nexperia USA Inc.
PSMN4R0-30YL,115
Nexperia USA Inc.
BUK7Y65-100EX
Nexperia USA Inc.
BUK9Y40-55B,115
Nexperia USA Inc.
PSMN2R2-25YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN2R2-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
BUK7Y41-80EX
Nexperia USA Inc.
BUK7Y4R8-60EX
Nexperia USA Inc.
PSMN011-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
Intel
EP20K1000CF33C7N
Intel