casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BUK9Y104-100B,115
Número de pieza del fabricante | BUK9Y104-100B,115 |
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Número de parte futuro | FT-BUK9Y104-100B,115 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK9Y104-100B,115 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 14.8A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±15V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1139pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 59W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | LFPAK56, Power-SO8 |
Paquete / Caja | SC-100, SOT-669 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK9Y104-100B,115 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BUK9Y104-100B,115-FT |
PMT560ENEAX
Nexperia USA Inc.
BSP030,115
Nexperia USA Inc.
BSP100,135
Nexperia USA Inc.
BSP110,115
Nexperia USA Inc.
BSP126,135
Nexperia USA Inc.
BUK78150-55A/CUF
Nexperia USA Inc.
BUK7880-55A,115
NXP USA Inc.
BUK98150-55,135
NXP USA Inc.
BUK98150-55/CUF
Nexperia USA Inc.
BUK98150-55A,135
NXP USA Inc.
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL050-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
5SGXMABN2F45I3N
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5SGXMB6R2F43C3N
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
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LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation