casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BUK9M120-100EX
Número de pieza del fabricante | BUK9M120-100EX |
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Número de parte futuro | FT-BUK9M120-100EX |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK9M120-100EX Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 11.5A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 119 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.05V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 8.8nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 882pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 44W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | LFPAK33 |
Paquete / Caja | SOT-1210, 8-LFPAK33 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK9M120-100EX Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BUK9M120-100EX-FT |
RDN100N20
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RDN100N20FU6
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RDN120N25
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XC6VLX195T-2FFG784I
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