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Renesas Electronics America RJK2009DPM-00#T0

Name: RJK2009DPM-00#T0
Brand: Renesas Electronics America
SKU: RJK2009DPM-00#T0
Availability: InStock
Rating: 4.7 (628 reviews)

Número de pieza de MFG: RJK2009DPM-00#T0

Cantidad disponible: 14980 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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fabricante: Renesas Electronics America

Breve descripción: - MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: RJK2009DPM-00#T0.pdf

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Número de pieza del fabricante	RJK2009DPM-00#T0
Número de parte futuro	FT-RJK2009DPM-00#T0
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
RJK2009DPM-00#T0 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	40A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	72nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2900pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-3PFM
Paquete / Caja	TO-3PFM, SC-93-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RJK2009DPM-00#T0 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	RJK2009DPM-00#T0-FT

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