casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / BUK9K45-100E,115
Número de pieza del fabricante | BUK9K45-100E,115 |
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Número de parte futuro | FT-BUK9K45-100E,115 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK9K45-100E,115 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 21A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 33.5nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2152pF @ 25V |
Potencia - max | 53W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-1205, 8-LFPAK56 |
Paquete del dispositivo del proveedor | LFPAK56D |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK9K45-100E,115 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BUK9K45-100E,115-FT |
SQJ912AEP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ956EP-T1_GE3
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XA6SLX16-3FTG256I
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LCMXO3L-9400E-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-2VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE115F23C7
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XC2V1000-4FFG896I
Xilinx Inc.
5AGXMB3G4F31I3N
Intel
EP4SE230F29I3N
Intel
EP3C25F324I7
Intel
EP20K200EQC208-2X
Intel