casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BUK962R1-40E,118
Número de pieza del fabricante | BUK962R1-40E,118 |
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Número de parte futuro | FT-BUK962R1-40E,118 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
BUK962R1-40E,118 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 120A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 87.8nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 13160pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 293W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK962R1-40E,118 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BUK962R1-40E,118-FT |
BUK768R1-40E,118
Nexperia USA Inc.
BUK9606-55A,118
Nexperia USA Inc.
PHB45NQ10T,118
Nexperia USA Inc.
PSMN050-80BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN057-200B,118
Nexperia USA Inc.
BUK764R4-60E,118
Nexperia USA Inc.
BUK9606-75B,118
Nexperia USA Inc.
BUK9616-75B,118
Nexperia USA Inc.
BUK965R8-100E,118
Nexperia USA Inc.
PHB33NQ20T,118
Nexperia USA Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel