casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BUK962R1-40E,118
Número de pieza del fabricante | BUK962R1-40E,118 |
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Número de parte futuro | FT-BUK962R1-40E,118 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
BUK962R1-40E,118 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 120A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 87.8nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 13160pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 293W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK962R1-40E,118 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BUK962R1-40E,118-FT |
BUK768R1-40E,118
Nexperia USA Inc.
BUK9606-55A,118
Nexperia USA Inc.
PHB45NQ10T,118
Nexperia USA Inc.
PSMN050-80BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN057-200B,118
Nexperia USA Inc.
BUK764R4-60E,118
Nexperia USA Inc.
BUK9606-75B,118
Nexperia USA Inc.
BUK9616-75B,118
Nexperia USA Inc.
BUK965R8-100E,118
Nexperia USA Inc.
PHB33NQ20T,118
Nexperia USA Inc.
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
Intel
5SGXMA7N2F45I2N
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5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
EP3SL150F780C4
Intel