casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BUK952R3-40E,127
Número de pieza del fabricante | BUK952R3-40E,127 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BUK952R3-40E,127 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
BUK952R3-40E,127 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 120A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 87.8nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 13160pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 293W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK952R3-40E,127 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BUK952R3-40E,127-FT |
BUK653R5-55C,127
NXP USA Inc.
BUK653R7-30C,127
NXP USA Inc.
BUK654R0-75C,127
NXP USA Inc.
BUK654R6-55C,127
NXP USA Inc.
BUK654R8-40C,127
NXP USA Inc.
BUK655R0-75C,127
NXP USA Inc.
BUK7504-40A,127
NXP USA Inc.
BUK7505-30A,127
NXP USA Inc.
BUK7506-55A,127
Nexperia USA Inc.
BUK7506-55B,127
NXP USA Inc.
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel