casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BUK654R8-40C,127
Número de pieza del fabricante | BUK654R8-40C,127 |
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Número de parte futuro | FT-BUK654R8-40C,127 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK654R8-40C,127 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 88nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5200pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 158W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK654R8-40C,127 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BUK654R8-40C,127-FT |
BUK9M17-30EX
Nexperia USA Inc.
BUK9M19-60EX
Nexperia USA Inc.
BUK9M23-80EX
Nexperia USA Inc.
BUK9M24-60EX
Nexperia USA Inc.
BUK9M28-80EX
Nexperia USA Inc.
BUK9M34-100EX
Nexperia USA Inc.
BUK9M35-80EX
Nexperia USA Inc.
BUK9M42-60EX
Nexperia USA Inc.
BUK9M43-100EX
Nexperia USA Inc.
BUK9M52-40EX
Nexperia USA Inc.
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel