casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BUK7Y53-100B,115
Número de pieza del fabricante | BUK7Y53-100B,115 |
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Número de parte futuro | FT-BUK7Y53-100B,115 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK7Y53-100B,115 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 24.8A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 53 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1467pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 85W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | LFPAK56, Power-SO8 |
Paquete / Caja | SC-100, SOT-669 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK7Y53-100B,115 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BUK7Y53-100B,115-FT |
PSMN028-100YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN3R3-40YS,115
Nexperia USA Inc.
BUK7Y4R4-40EX
Nexperia USA Inc.
BUK7Y7R8-80EX
Nexperia USA Inc.
BUK9Y6R0-60E,115
Nexperia USA Inc.
PSMN013-80YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN1R2-25YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN1R4-30YLDX
Nexperia USA Inc.
BUK7Y18-75B,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y104-100B,115
Nexperia USA Inc.
XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
Intel
EP4SGX360NF45C3N
Intel
XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
Intel
EP2AGX65CU17C4G
Intel
5AGXFB1H4F35C4N
Intel