casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BUK753R8-80E,127
Número de pieza del fabricante | BUK753R8-80E,127 |
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Número de parte futuro | FT-BUK753R8-80E,127 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK753R8-80E,127 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 80V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 120A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 169nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 12030pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 349W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK753R8-80E,127 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BUK753R8-80E,127-FT |
PSMN4R3-100PS,127
Nexperia USA Inc.
PSMN7R6-60PS,127
Nexperia USA Inc.
PSMN015-100P,127
Nexperia USA Inc.
PHP79NQ08LT,127
Nexperia USA Inc.
PHP29N08T,127
Nexperia USA Inc.
PSMN8R7-80PS,127
Nexperia USA Inc.
PSMN3R3-80PS,127
Nexperia USA Inc.
PSMN017-80PS,127
Nexperia USA Inc.
PHP18NQ10T,127
Nexperia USA Inc.
PSMN7R0-100PS,127
Nexperia USA Inc.
XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation