casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BUK752R7-60E,127
Número de pieza del fabricante | BUK752R7-60E,127 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BUK752R7-60E,127 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
BUK752R7-60E,127 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 120A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 158nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 11180pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 349W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK752R7-60E,127 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BUK752R7-60E,127-FT |
PSMN5R6-100PS,127
Nexperia USA Inc.
PSMN022-30PL,127
Nexperia USA Inc.
PSMN013-100PS,127
Nexperia USA Inc.
PSMN4R6-60PS,127
Nexperia USA Inc.
PSMN034-100PS,127
Nexperia USA Inc.
PSMN2R8-40PS,127
Nexperia USA Inc.
PHP23NQ11T,127
Nexperia USA Inc.
PSMN4R3-100PS,127
Nexperia USA Inc.
PSMN7R6-60PS,127
Nexperia USA Inc.
PSMN015-100P,127
Nexperia USA Inc.
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
Intel
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
5SGXMB5R1F43C1N
Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
XC6VLX195T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
Intel