casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BUK653R4-40C,127
Número de pieza del fabricante | BUK653R4-40C,127 |
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Número de parte futuro | FT-BUK653R4-40C,127 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
BUK653R4-40C,127 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 125nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 8020pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 204W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK653R4-40C,127 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BUK653R4-40C,127-FT |
BUK7M9R9-60EX
Nexperia USA Inc.
BUK9M10-30EX
Nexperia USA Inc.
BUK9M12-60EX
Nexperia USA Inc.
BUK9M120-100EX
Nexperia USA Inc.
BUK9M15-60EX
Nexperia USA Inc.
BUK9M17-30EX
Nexperia USA Inc.
BUK9M19-60EX
Nexperia USA Inc.
BUK9M23-80EX
Nexperia USA Inc.
BUK9M24-60EX
Nexperia USA Inc.
BUK9M28-80EX
Nexperia USA Inc.
XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation