casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BTS247Z E3062A
Número de pieza del fabricante | BTS247Z E3062A |
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Número de parte futuro | FT-BTS247Z E3062A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TEMPFET® |
BTS247Z E3062A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 55V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 33A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 90µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1730pF @ 25V |
Característica FET | Temperature Sensing Diode |
Disipación de potencia (max) | 120W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO263-5-2 |
Paquete / Caja | TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BTS247Z E3062A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BTS247Z E3062A-FT |
IXTU01N100D
IXYS
IXTU02N50D
IXYS
IXTU01N80
IXYS
IXTU05N100
IXYS
IXTU05N120
IXYS
IXTU06N120P
IXYS
IXTU08N100P
IXYS
IXTU12N06T
IXYS
IXTU1R4N60P
IXYS
IXTU2N80P
IXYS
XC3S400-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CSG325C
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K1F35I2N
Intel
XC4020E-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX415T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7VX550T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
XCKU5P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFXP10C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation