casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSZ0902NSIATMA1
Número de pieza del fabricante | BSZ0902NSIATMA1 |
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Número de parte futuro | FT-BSZ0902NSIATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSZ0902NSIATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 21A (Ta), 40A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1500pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.5W (Ta), 48W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TSDSON-8-FL |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSZ0902NSIATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSZ0902NSIATMA1-FT |
IPA80R310CEXKSA2
Infineon Technologies
IPA80R360P7XKSA1
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IPA95R750P7XKSA1
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IPAN60R650CEXKSA1
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XA6SLX45-3FGG484Q
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A42MX36-2BGG272I
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MPF300T-1FCG1152E
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EP3SL200F1517C2N
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5SGXMA3K2F35I3N
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XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
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