casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSZ0703LSATMA1
Número de pieza del fabricante | BSZ0703LSATMA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BSZ0703LSATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
BSZ0703LSATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | - |
Tecnología | - |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | - |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Paquete / Caja | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSZ0703LSATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSZ0703LSATMA1-FT |
APTM120DA15G
Microsemi Corporation
APTM120DA29TG
Microsemi Corporation
APTM120DA56T1G
Microsemi Corporation
APTM120DA68T1G
Microsemi Corporation
APTM120SK15G
Microsemi Corporation
APTM120SK29TG
Microsemi Corporation
APTM120SK56T1G
Microsemi Corporation
APTM120SK68T1G
Microsemi Corporation
APTM120U10DAG
Microsemi Corporation
APTM120UM95FAG
Microsemi Corporation
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel