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APTM120DA29TG Image

Microsemi Corporation APTM120DA29TG

Número de pieza de MFG
APTM120DA29TG
Cantidad disponible
63070 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
Microsemi Corporation
Breve descripción
- MOSFET N-CH 1200V 34A SP4
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
APTM120DA29TG Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 1200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 34A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 348 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 5mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 374nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 10300pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 780W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete del dispositivo del proveedor SP4
Paquete / Caja SP4
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM120DA29TG Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto APTM120DA29TG-FT

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