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Infineon Technologies BSS806NEH6327XTSA1

Name: BSS806NEH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSS806NEH6327XTSA1
Price: 0.082464 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (619 reviews)

Número de pieza de MFG: BSS806NEH6327XTSA1

Cantidad disponible: 74440 Piezas

Precio de referencia: USD 0.082464

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fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: Automotive, AEC-Q101, HEXFET® MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: BSS806NEH6327XTSA1.pdf

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Número de pieza del fabricante	BSS806NEH6327XTSA1
Número de parte futuro	FT-BSS806NEH6327XTSA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
BSS806NEH6327XTSA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	2.3A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	1.8V, 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	57 mOhm @ 2.3A, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	0.75V @ 11µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	1.7nC @ 2.5V
Vgs (Max)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	529pF @ 10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23-3
Paquete / Caja	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSS806NEH6327XTSA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	BSS806NEH6327XTSA1-FT

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