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Infineon Technologies BSS119E6327

Número de pieza de MFG
BSS119E6327
Cantidad disponible
82540 Piezas
Precio de referencia
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
SIPMOS® MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
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Número de parte futuro FT-BSS119E6327
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie SIPMOS®
BSS119E6327 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 170mA (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 Ohm @ 170mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 50µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 78pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 360mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3
Paquete / Caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSS119E6327 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto BSS119E6327-FT

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