casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI2343DS-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SI2343DS-T1-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SI2343DS-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI2343DS-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.1A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 53 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 540pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 750mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 (TO-236) |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI2343DS-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI2343DS-T1-GE3-FT |
FDN352AP
ON Semiconductor
BSS138K
ON Semiconductor
SI2301BDS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2312BDS-T1-GE3
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FDN360P
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SI2301CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
A3PE600-2FGG484I
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Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
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AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
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EP3SE260F1152I3
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EP3SE110F780C2
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10AX048E2F29I1HG
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