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Infineon Technologies BSO615NGHUMA1
- Número de pieza de MFG
- BSO615NGHUMA1
- Cantidad disponible
- 18840 Piezas
- Precio de referencia
- USD 0.356664
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- Fecha de envío
- Podemos enviar hoy
- fabricante
- Infineon Technologies
- Breve descripción
- SIPMOS® MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- BSO615NGHUMA1.pdf
BSO615NGHUMA1 Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | BSO615NGHUMA1 |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-BSO615NGHUMA1 |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | SIPMOS® |
| BSO615NGHUMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 2.6A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 380pF @ 25V |
| Potencia - max | 2W |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paquete del dispositivo del proveedor | PG-DSO-8 |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| BSO615NGHUMA1 Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | BSO615NGHUMA1-FT |
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