casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / NTMFD4C86NT1G
Número de pieza del fabricante | NTMFD4C86NT1G |
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Número de parte futuro | FT-NTMFD4C86NT1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTMFD4C86NT1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Característica FET | Standard |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 11.3A, 18.1A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.4 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 22.2nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1153pF @ 15V |
Potencia - max | 1.1W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-DFN (5x6) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTMFD4C86NT1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NTMFD4C86NT1G-FT |
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