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Infineon Technologies BSO080P03NS3GXUMA1

Name: BSO080P03NS3GXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSO080P03NS3GXUMA1
Price: 0.3388 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (392 reviews)

Número de pieza de MFG: BSO080P03NS3GXUMA1

Cantidad disponible: 79820 Piezas

Precio de referencia: USD 0.3388

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fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: OptiMOS™ MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: BSO080P03NS3GXUMA1.pdf

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BSO080P03NS3GXUMA1 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	BSO080P03NS3GXUMA1
Número de parte futuro	FT-BSO080P03NS3GXUMA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
BSO080P03NS3GXUMA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	12A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 mOhm @ 14.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.1V @ 150µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	81nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	6750pF @ 15V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	1.6W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-DSO-8
Paquete / Caja	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSO080P03NS3GXUMA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	BSO080P03NS3GXUMA1-FT

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