casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SPP100N06S2-05
Número de pieza del fabricante | SPP100N06S2-05 |
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Número de parte futuro | FT-SPP100N06S2-05 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
SPP100N06S2-05 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 55V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 6800pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 300W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO220-3-1 |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPP100N06S2-05 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SPP100N06S2-05-FT |
IPP65R420CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPP65R600C6XKSA1
Infineon Technologies
IPP65R600E6XKSA1
Infineon Technologies
IPP65R660CFDAAKSA1
Infineon Technologies
IPP65R660CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPP70N04S307AKSA1
Infineon Technologies
IPP70N10S3L12AKSA1
Infineon Technologies
IPP70N10SL16AKSA1
Infineon Technologies
IPP70P04P409AKSA1
Infineon Technologies
IPP77N06S212AKSA1
Infineon Technologies
AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
XC3S200AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144
Microsemi Corporation
EPF6010ATI100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
Intel