casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSN20,235
Número de pieza del fabricante | BSN20,235 |
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Número de parte futuro | FT-BSN20,235 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
BSN20,235 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 50V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 173mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 Ohm @ 100mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 25pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 830mW (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-236AB |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSN20,235 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSN20,235-FT |
PSMN015-60BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN016-100BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN030-150B,118
Nexperia USA Inc.
PSMN1R5-30BLEJ
Nexperia USA Inc.
PSMN1R7-60BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN1R8-30BL,118
Nexperia USA Inc.
PSMN2R0-30BL,118
Nexperia USA Inc.
PSMN2R7-30BL,118
Nexperia USA Inc.
PSMN3R4-30BL,118
Nexperia USA Inc.
PSMN4R4-80BS,118
Nexperia USA Inc.
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
AT6002-4AC
Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
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5SGXMA3K3F40C2N
Intel
EP3SE260F1517C2N
Intel
LFE2-20SE-5FN484C
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LFE3-70EA-8LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I2SGE2
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5CGXFC9E7F35C8N
Intel